4月9日，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）正式对于外披露，公司规划在2026年内推出用在下一代高带宽内存（HBM）出产的“第二代混淆键合机”原型机，并同步启动与客户的互助验证。此外，公司还有明确计划，将在2027年上半年启动混淆键合机专用工场的运营。 作为全世界HBM热压键合机市场的领先企业，韩美半导体这次结构旨于抢占下一代HBM封装装备的技能制高点。据悉，混淆键合技能经由过程铜-铜直接键合代替传统焊料凸块，可年夜幅晋升芯片互连密度、数据传输速率并降低功耗，是实现20层和以上高层数HBM量产的要害技能，也是AI算力发作配景下半导体装备范畴的焦点竞争标的目的。 韩美半导体早于2020年就推出了第一代HBM混淆键合机，堆集了富厚的技能研发与验证经验。这次行将推出的第二代原型机，整合了初代装备的技能上风，于纳米级精度、工艺不变性及产能 yield 等方面实现周全进级，其瞄准精度可达±100纳米，可对于标全世界行业标杆程度，适配下一代HBM芯单方面积扩展、重叠层数增长的成长需求。 于产能结构方面，韩美半导体已经启动混淆键合机工场设置装备摆设，该工场位在韩国仁川 Juan 国度工业园区，总投资达1000亿韩元（约合3400万美元），修建面积14570平方米，将配备顶级的100级干净室，以满意纳米级超周详制造需求，规划2027年上半年正式投产运营。 当前，韩美半导体于全世界HBM热压键合机市场盘踞71.2%的主导份额，焦点客户包括SK海力士等头部存储厂商。这次推出第二代混淆键合机并结构专用工场，是公司“巩固现有上风、抢占将来赛道”的双线战略表现，既能跟尾当下HBM技能迭代需求，也为2029年混淆键合技能年夜范围量产做好预备，将进一步强化其于半导体装备范畴的市园地位，助力全世界HBM财产进级。
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